ووفقا للمؤلفين، فإن الاكتشاف الجديد مهم لإنشاء الجيل القادم من أجهزة إلكترونيات الطاقة وغيرها في مجالات التكنولوجيا، وتم نشر نتائج العمل العلمي في مجلة "أبلييد فيزيكس ليتيرس".
وقال خبراء من المعهد: "إن المواد شبه الموصلة اليوم هي جزء لا يتجزأ من الإلكترونيات التناظرية والرقمية. وهي ضرورية للغاية للعديد من الصناعات".
وقالت ألينا نيكولسكايا، الباحثة في معهد أبحاث الفيزياء والتكنولوجيا، إنه بسبب المتطلبات المتزايدة باستمرار لقوة تشغيل الأجهزة الإلكترونية، فإن الطلب على ما يسمى بأشباه الموصلات ذات النطاق الترددي العريض آخذ في النمو.
واكتشف الباحثون، أنه في أثناء المعالجة الحرارية لبلورة أكسيد الغاليوم التي أضيفت إليها ذرات السيليكون من خلال زرع الأيونات، حدثت زيادة كبيرة بشكل غير طبيعي في عدد الإلكترونات، وهو ما يتجاوز عدد ذرات السيليكون.
ووفقا لنيكولسكايا، يتم استخدام إدخال الذرات للتحكم في الخواص الكهربائية لأشباه الموصلات. في التقنيات التقليدية، عادةً ما يتم إدخال الذرات باستخدام زرع الأيونات (التشعيع يليه التلدين).
ووفقا للعالمة، تمكن الفريق ليس فقط من تحقيق تركيز الإلكترونات الكافي لإنشاء أجهزة كهربائية، ولكن أيضا تجاوزه بسبب العمليات التي تحدث أثناء الزرع. ولم يتم ملاحظة هذا التأثير من قبل في أي مكان في العالم.
يعتقد مؤلفو الدراسة أن هذا الاكتشاف سيكون بمثابة نقطة انطلاق لإنشاء جيل جديد من الأجهزة لإلكترونيات الطاقة وأجهزة الكشف الضوئي للأشعة فوق البنفسجية وغيرها من الأجهزة.