00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
مدار الليل والنهار
02:30 GMT
150 د
مدار الليل والنهار
05:00 GMT
183 د
كواليس السينما
09:03 GMT
27 د
مدار الليل والنهار
13:00 GMT
183 د
مدار الليل والنهار
18:03 GMT
120 د
مدار الليل والنهار
20:03 GMT
31 د
مدار الليل والنهار
02:30 GMT
150 د
مدار الليل والنهار
05:00 GMT
183 د
كواليس السينما
09:03 GMT
27 د
عرب بوينت بودكاست
زواج الشاب العربي من الفتاة الأجنبية... ماله وما عليه
12:32 GMT
19 د
عرب بوينت بودكاست
الباحثات والعلم: الحرمان من التقدير يحولهن إلى الاستسلام ويضر بالعلم والعلماء
12:52 GMT
8 د
مدار الليل والنهار
البرنامج المسائي
13:00 GMT
183 د
صدى الحياة
هل يتقبل المجتمع العربي فكرة إبرام عقود الهبة بالحياة لضمان حقوق الأبناء
17:03 GMT
30 د
مدار الليل والنهار
البرنامج الصباحي - اعادة
18:03 GMT
120 د
مدار الليل والنهار
البرنامج الصباحي - اعادة
20:03 GMT
30 د
أمساليوم
بث مباشر

تيلرسون: نقف مع مصر في مواجهتها للإرهاب

© REUTERS / HENRY ROMEROتيلرسون
تيلرسون - سبوتنيك عربي
تابعنا عبر
أكد وزير الخارجية الأمريكي ريكس تيلرسون التزام إدارة الرئيس دونالد ترامب بالتوصل لسلام بين إسرائيل والفلسطينيين، مشددا على أنها لا تدعو لتغيير الوضع الحالي للأماكن المقدسة.

وزير الخارجية المصري، سامح شكري - سبوتنيك عربي
وزير الخارجية المصري: نثمن الدعم الأمريكي لمصر في الحرب على الإرهاب
القاهرة — سبوتنيك. وقال تيلرسون في مؤتمر صحفي مشترك، مع نظيره المصري سامح شكري، في القاهرة، اليوم الاثنين، إن "إدارة ترامب ملتزمة بالتوصل لسلام بين إسرائيل والفلسطينيين".

وأضاف تيلرسون أن الحدود الجغرافية للقدس "يجب أن يتم التوصل إلى الاتفاق حولها بين الطرفين، ولا ندعو لتغيير الوضع الحالي للأماكن المقدسة".

فيما أكد شكري "أهمية التوصل لحل للصراع الفلسطيني الإسرائيلي، على أساس حل الدولتين"، مشددا على "استعداد مصر لمواصلة جهودها لتحقيق هذا الهدف، وتحقيق السلام والاستقرار".

 

شريط الأخبار
0
للمشاركة في المناقشة
قم بتسجيل الدخول أو تسجيل
loader
المحادثات
Заголовок открываемого материала