00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
مدار الليل والنهار
03:30 GMT
150 د
مدار الليل والنهار
06:00 GMT
183 د
عرب بوينت بودكاست
09:37 GMT
23 د
المقهى الثقافي
10:44 GMT
17 د
عرب بوينت بودكاست
13:03 GMT
16 د
عرب بوينت بودكاست
13:48 GMT
12 د
مدار الليل والنهار
14:00 GMT
183 د
مدار الليل والنهار
20:00 GMT
60 د
مدار الليل والنهار
21:00 GMT
87 د
مدار الليل والنهار
03:30 GMT
149 د
مدار الليل والنهار
06:00 GMT
183 د
مدار الليل والنهار
14:00 GMT
183 د
مدار الليل والنهار
20:00 GMT
60 د
مدار الليل والنهار
21:00 GMT
89 د
أمساليوم
بث مباشر

الحكومة السورية والمعارضة تتفقان حول خفض التوتر العسكري في محيط دمشق

© REUTERS / OMAR SANADIKIدمشق
دمشق - سبوتنيك عربي
تابعنا عبر
أعلن مركز المصالحة الروسي في سوريا، مساء الثلاثاء 7 نوفمبر/تشرين الثاني، التوصل إلى اتفاق بين القوات الحكومية السورية والمعارضة المسلحة حول خفض التوتر في محيط العاصمة السورية دمشق.

حفرة بسبب سقوط صاروخ في خان شيخون - سبوتنيك عربي
لجنة تقصي الحقائق تؤكد استخدام غاز السارين في هجوم خان شيخون
موسكو — سبوتنيك. وقالت  وزارة الدفاع الروسية في بيان نشر على موقعها الإلكتروني:

خلال المحادثات، تم التوصل إلى اتفاق لتعزيز تخفيف حدة التوترات بين القوات الحكومية والمعارضة المسلحة، والمركز الروسي للمصالحة اتخذ على عاتقه الكفالة لتأمين هذا الغرض بين الأطراف المتحاربة.

وأشار البيان إلى أن قيادة مركز المصالحة توسطت في المحادثات التي أجراها ممثلو الحكومة السورية وأجهزتها الأمنية مع قادة المجموعات المسلحة العاملة في ضواحي دمشق.

في سياق متصل، أكدت لجنة تقصي الحقائق التابعة لمنظمة الأمم المتحدة، أمس الثلاثاء، أنه تم استخدام غاز السارين خلال الهجوم الكيميائي على بلدة خان شيخون السورية.

و كشفت الأمم المتحدة أن هجوم خان شيخون تم جراء قصف جوي ولم يكن بقصف بري مجاور، إلا أنه لم يتم التأكد من أن الطائرات التي قصفت البلدة أقلعت من مطار الشعيرات أم لا.

شريط الأخبار
0
للمشاركة في المناقشة
قم بتسجيل الدخول أو تسجيل
loader
المحادثات
Заголовок открываемого материала