00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
مدار الليل والنهار
02:29 GMT
151 د
مدار الليل والنهار
05:00 GMT
183 د
الحدث من سبوتنيك
10:00 GMT
123 د
مدار الليل والنهار
13:00 GMT
183 د
مدار الليل والنهار
19:00 GMT
120 د
مدار الليل والنهار
21:00 GMT
30 د
مدار الليل والنهار
02:30 GMT
150 د
مدار الليل والنهار
05:00 GMT
183 د
موزاييك
09:33 GMT
14 د
بين بيروت وموسكو
أوكرانيا وإيران على مفترق التصعيد والتفاوض... ما الخطوة المقبلة لترامب وإلى أين يتجه العالم؟
10:00 GMT
123 د
عرب بوينت بودكاست
12:48 GMT
11 د
مدار الليل والنهار
13:00 GMT
183 د
مدار الليل والنهار
البرنامج الصباحي - إعادة
19:00 GMT
120 د
أمساليوم
بث مباشر

السلطات الإسبانية تعثر على طرد مفخخ ثالث في قاعدة عسكرية بمدريد

© AFP 2023 / OSCAR DEL POZOالشرطة الإسبانية
الشرطة الإسبانية - سبوتنيك عربي, 1920, 01.12.2022
تابعنا عبر
عثرت السلطات الإسبانية، اليوم الخميس، على طرد مفخخ ثالث في قاعدة توريخون الجوية بالعاصمة مدريد، وذلك بعد ساعات من تلقي شركة الأسلحة الإسبانية "أنستالازا" طرداً مفخخاً سبقه انفجار طرد آخر أمام السفارة الأوكرانية بمدريد.
وذكرت صحيفة "إل باييس" المحلية أنه عُثر في قاعدة توريخون دي أردوز الجوية بمدريد على طرد مشابه للطردين الذين تم إرسالهما إلى السفارة الأوكرانية وشركة أنستالازا لتصنيع الأسلحة".

وأوضحت أنه "أخطرت الوحدة العسكرية للقاعدة الجوية، في الساعة الثالثة فجراً القوات الأمنية بتسلمها ظرفًا مشبوهًا، وتم اتخاذ الإجراءات اللازمة على الفور، بينما تولت الشرطة الوطنية فحص الطرد".

هذا وخلال الأربع والعشرين ساعة الماضية، أعلنت الشرطة الإسبانية عن انفجار طرد مفخخ في السفارة الأوكرانية في العاصمة مدريد، ما أسفر عن إصابة أحد أعضاء البعثة الدبلوماسية.

وتتعامل السلطات الإسبانية مع انفجار السفارة الأوكرانية بمدريد على أنه "عمل إرهابي"، فيما وجهت السلطات الأوكرانية بتشديد الإجراءات الأمنية لكل سفاراتها بالخارج بعد الحادث.
شريط الأخبار
0
للمشاركة في المناقشة
قم بتسجيل الدخول أو تسجيل
loader
المحادثات
Заголовок открываемого материала