https://sarabic.ae/20260629/ذاكرة-جديدة-فائقة-السرعة-لا-تفقد-البيانات-عند-انقطاع-الطاقة-1114826760.html
ذاكرة جديدة فائقة السرعة لا تفقد البيانات عند انقطاع الطاقة
ذاكرة جديدة فائقة السرعة لا تفقد البيانات عند انقطاع الطاقة
سبوتنيك عربي
طوّر فريق دولي من الباحثين، يضم علماء من جامعة الشرق الأقصى الفيدرالية وجامعة سخالين الحكومية الروسية ومراكز علمية في الصين، نوعًا جديدًا من الذاكرة غير... 29.06.2026, سبوتنيك عربي
2026-06-29T21:53+0000
2026-06-29T21:53+0000
2026-06-29T21:53+0000
مجتمع
علوم
روسيا
الصين
أخبار الأبحاث العلمية
https://cdn.img.sarabic.ae/img/07ea/02/0e/1110355197_0:320:3072:2048_1920x0_80_0_0_c99a14ca629cd8aeea4ef01167799607.jpg
يهدف هذا التصميم إلى تجاوز إحدى المشكلات الأساسية في الذاكرة التقليدية: فقدان البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي. وتقوم الفكرة على بنية ثلاثية الطبقات: طبقتان مغناطيسيتان، إحداهما ممغنطة أفقيًا والأخرى عموديًا، وبينهما طبقة فائقة الرقة من التنجستن لا يتجاوز سمكها 1 نانومتر، أي ما يقارب مئة ألف مرة أرق من شعرة الإنسان. وبحسب الدراسة، بلغت كفاءة تحويل التيار الكهربائي إلى تيار سبيني نحو 15%، وهي قيمة تقارب ما تحققه طبقات أثخن بكثير من المعادن الثقيلة. ويؤكد الباحثون أن تقليل سماكة الطبقات لا يخدم التصغير فقط، بل يساهم أيضًا في خفض تيارات الكتابة وتقليل الطاقة المطلوبة لتبديل الخلايا، وهو ما يجعل التقنية أكثر ملاءمة للتصنيع العملي. كما أن التصميم المقترح يستخدم ترتيبًا على شكل حرف T، حيث يولّد التمغنط المتعامد في الطبقتين مجالًا داخليًا فعالًا يغني عن الحاجة إلى مغناطيس خارجي، ما يجعل الجهاز أبسط وأقل كلفة وأكثر موثوقية. وترى الدراسة أن النتائج تمثل خطوة مهمة نحو جعل SOT-MRAM تقنية قابلة للتسويق التجاري، مع خطط مستقبلية لتحسين المواد والبنى الداخلية، ودراسة إمكانية دمجها في خطوط تصنيع الإلكترونيات الدقيقة الحالية.المصدر : | بوابة روسيا العلمية |
https://sarabic.ae/20260224/جامعة-موسكو-الحكومية-تخفض-تكاليف-الذاكرة-اللازمة-لتدريب-نماذج-الذكاء-الاصطناعي-8-أضعاف-1110707518.html
الصين
سبوتنيك عربي
feedback.arabic@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rossiya Segodnya“
2026
سبوتنيك عربي
feedback.arabic@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rossiya Segodnya“
الأخبار
ar_EG
سبوتنيك عربي
feedback.arabic@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rossiya Segodnya“
سبوتنيك عربي
feedback.arabic@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rossiya Segodnya“
علوم, روسيا, الصين, أخبار الأبحاث العلمية
علوم, روسيا, الصين, أخبار الأبحاث العلمية
ذاكرة جديدة فائقة السرعة لا تفقد البيانات عند انقطاع الطاقة
طوّر فريق دولي من الباحثين، يضم علماء من جامعة الشرق الأقصى الفيدرالية وجامعة سخالين الحكومية الروسية ومراكز علمية في الصين، نوعًا جديدًا من الذاكرة غير المتطايرة يحمل اسم SOT-MRAM، ويُعد خطوة مهمة نحو جيل جديد من وحدات التخزين السريعة والموفرة للطاقة.
يهدف هذا التصميم إلى تجاوز إحدى المشكلات الأساسية في الذاكرة التقليدية: فقدان البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي.
وتقوم الفكرة على بنية ثلاثية الطبقات: طبقتان مغناطيسيتان، إحداهما ممغنطة أفقيًا والأخرى عموديًا، وبينهما طبقة فائقة الرقة من التنجستن لا يتجاوز سمكها 1 نانومتر، أي ما يقارب مئة ألف مرة أرق من شعرة الإنسان.
وعلى الرغم من هذا السُمك الشديد الصغر، تمكنت الطبقة من توليد تيار سبيني فعّال، وهو التدفق الإلكتروني المسؤول عن تبديل حالة المغنطة داخل الخلية.
وبحسب الدراسة، بلغت كفاءة تحويل التيار الكهربائي إلى تيار سبيني نحو 15%، وهي قيمة تقارب ما تحققه طبقات أثخن بكثير من المعادن الثقيلة.
ويؤكد الباحثون أن تقليل سماكة الطبقات لا يخدم التصغير فقط، بل يساهم أيضًا في خفض تيارات الكتابة وتقليل الطاقة المطلوبة لتبديل الخلايا، وهو ما يجعل التقنية أكثر ملاءمة للتصنيع العملي.
وتكمن أهمية هذا النوع من الذاكرة في أنه يجمع بين السرعة العالية والاحتفاظ الدائم بالبيانات؛ فهي قادرة على الكتابة أسرع بعشرات المرات من وحدات الفلاش الحالية، مع استهلاك أقل للطاقة.
كما أن التصميم المقترح يستخدم ترتيبًا على شكل حرف T، حيث يولّد التمغنط المتعامد في الطبقتين مجالًا داخليًا فعالًا يغني عن الحاجة إلى مغناطيس خارجي، ما يجعل الجهاز أبسط وأقل كلفة وأكثر موثوقية.
وترى الدراسة أن النتائج تمثل خطوة مهمة نحو جعل SOT-MRAM تقنية قابلة للتسويق التجاري، مع خطط مستقبلية لتحسين المواد والبنى الداخلية، ودراسة إمكانية دمجها في خطوط تصنيع الإلكترونيات الدقيقة الحالية.
