وأشارت الشركة الكورية الجنوبية إلى أنها بدأت في نهاية 2017 في عملية إنتاج ضخمة للجيل الثاني من ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة "رام" المستخدم فيها تقنية "10 نانومتر".
وتسمح تلك التقنية في إنتاج ذاكرة وصول عشوائي "رام" بسعة 8 غيغابايت، علاوة على أنها ستمكن من إنتاج ذاكرات أسرع وأقوى كفاءة بنحو 10%، وتوفر في استهلاك الطاقة بنحو 15%، عن الأجيال السابقة.
ويمكن للذاكرة الجديدة أن تعمل بسرعة تصل إلى 3600 ميغابت في الثانية، مقارنة بـ3200 ميغابت في الثانية عن النسخ السابقة.
ومن المتوقع أن تزود "سامسونغ" أجهزتها وهواتف الشركات الأخرى بـ"الرام" الجديدة، خلال عام 2018.
